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Hinweis zum Urheberrecht

Aufsatz zugänglich unter
URN: urn:nbn:de:bvb:29-opus-37944
URL: http://www.opus.ub.uni-erlangen.de/opus/volltexte/2012/3794/


A highly sensitive evaluation method for the determination of different current conduction mechanisms through dielectric layers

Murakami, Katsuhisa ; Rommel, Mathias ; Yanev, Vasil ; Erlbacher, Tobias ; Bauer, Anton J. ; Frey, Lothar

Originalveröffentlichung: (2011) Journal of Applied Physics 110.5 (2011): 06.11.2012 <http://jap.aip.org/resource/1/japiau/v110/i5/p054104_s1>
pdf-Format:
Dokument 1.pdf (1.447 KB)


SWD-Schlagwörter: -
Freie Schlagwörter (Englisch): minority carriers , MOS capacitors , Poole-Frenkel effect , silicon compounds , tunnelling
PACS - Klassifikation: 84.32.Tt
Collection: Universität Erlangen-Nürnberg / Allianzlizenzen / 2011
Fakultät: Technische Fakultät
DDC-Sachgruppe: Technik
Dokumentart: Aufsatz
Sprache: Englisch
Erstellungsjahr: 2011
Publikationsdatum: 07.11.2012
Kurzfassung in Englisch: Current conduction mechanisms through a metal-oxide semiconductor capacitor with a 9.6 nm thick SiO2 dielectric layer are characterized via Fowler-Nordheim (FN) and Poole-Frenkel (PF) plots, as well as through the analysis of the power exponent parameter α = d(log I)/d(log V). It is shown that the evaluation by means of α is much more sensitive in the accurate identification of different current conduction mechanisms. If FN tunneling and PF conduction occur simultaneously, evaluation using the α-voltage (α-V) plot actually allows one to determine the fraction of each conduction mechanism quantitatively. Even a slight current saturation due to minority carrier depletion, which cannot be detected through the evaluation of the current-voltage characteristics using FN or PF plots, can be detected by the α-V plot.


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Letzte Änderung: 01.11.10