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Hinweis zum Urheberrecht

Aufsatz zugänglich unter
URN: urn:nbn:de:bvb:29-opus-38211
URL: http://www.opus.ub.uni-erlangen.de/opus/volltexte/2012/3821/


Anharmonic vibrations of the dicarbon antisite defect in 4H-SiC

Yan, F. ; Devaty, R. P. ; Choyke, W. J. ; Gali, A. ; Kimoto, T. ; Ohshima, T. ; Pensl, G.

Originalveröffentlichung: (2012) Applied Physics Letters 100.13 (2012): 07.11.2012 <http://apl.aip.org/resource/1/applab/v100/i13/p132107_s1>
pdf-Format:
Dokument 1.pdf (632 KB)


SWD-Schlagwörter: -
Freie Schlagwörter (Englisch): ab initio calculations , anharmonic lattice modes , antisite defects , electron beam effects , helium
PACS - Klassifikation: 63.20.Ry , 78.55.Hx , 78.66.Li , 61.72.up , 61.80.Fe
Collection: Universität Erlangen-Nürnberg / Allianzlizenzen / 2012
Fakultät: Naturwissenschaftliche Fakultät
DDC-Sachgruppe: Physik
Dokumentart: Aufsatz
Sprache: Englisch
Erstellungsjahr: 2012
Publikationsdatum: 08.11.2012
Kurzfassung in Englisch: Dicarbon antisite defects were created by either electron irradiation or ion implantation into 4H-SiC. The no-phonon lines from the dicarbon antisite defect center were observed with their phonon replicas. The stretch frequencies of the defect were observed up to the fifth harmonic. The Morse potential model accounts for the anharmonicity quite well and gives a very good prediction of the vibration energies up to the fifth harmonic with an error of less than 1%. First principles calculations show that the model of a dicarbon antisite defect along with its four nearest neighboring carbon atoms can explain the observed anharmonicity.


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Letzte Änderung: 01.11.10