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Aufsatz zugänglich unter
URN: urn:nbn:de:bvb:29-opus-38429
URL: http://www.opus.ub.uni-erlangen.de/opus/volltexte/2012/3842/
1550 nm ErAs:In(Al)GaAs large area photoconductive emitters
Preu, Sascha ;
Mittendorff, M. ;
Lu, H. ;
Weber, Heiko B. ;
Winnerl, S. ;
Gossard, A. C.
| Originalveröffentlichung: |
| (2012) Applied Physics Letters 101.10 (2012): 07.11.2012 <http://apl.aip.org/resource/1/applab/v101/i10/p101105_s1> |
| pdf-Format:
|
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| SWD-Schlagwörter: |
| - |
| Freie Schlagwörter (Englisch): |
| aluminium compounds , electron-hole recombination , erbium compounds , gallium arsenide , III-V semiconductors |
| PACS - Klassifikation: |
| 81.05.Ea , 72.20.Jv , 78.70.Gq , 73.63.-b , 72.40.+w |
| Collection: |
| Universität Erlangen-Nürnberg / Allianzlizenzen / 2012 |
| Fakultät: |
| Naturwissenschaftliche Fakultät |
| DDC-Sachgruppe: |
| Naturwissenschaften |
| Dokumentart: |
| Aufsatz |
| Sprache: |
| Englisch |
| Erstellungsjahr: |
| 2012 |
| Publikationsdatum: |
| 08.11.2012 |
| Kurzfassung in Englisch: |
| We report on high power terahertz (THz) emission from ErAs-enhanced In0.52Al0.48As-In0.53Ga0.47As superlattices for operation at 1550 nm. ErAs clusters act as efficient recombination centers. The optical power is distributed among a large, microstructured area in order to reduce the local optical intensity. A THz field strength of 0.7 V/cm (1 V/cm peak-to-peak) at 100 mW average optical power has been obtained, with emission up to about 4 THz in air, limited by the detection crystal used in the system. |
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