Hinweis zum Urheberrecht
Dissertation zugänglich unter
URN: urn:nbn:de:bvb:29-opus-38950
URL: http://www.opus.ub.uni-erlangen.de/opus/volltexte/2012/3895/
Leakage Current and Defect Characterization of Short Channel MOSFETs
Charakterisierung von Leckströmen und Defekten in Kurzkanal-MOSFETs
Roll, Guntrade
| Originalveröffentlichung: |
| (2012) Research at namlab Band 2 (Logos Verlag Berlin) |
| pdf-Format:
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| SWD-Schlagwörter: |
| MOS-FET , Leckstrom , Gitterbaufehler , Elektrische Messung , Simulation , Prozessierung |
| Freie Schlagwörter (Deutsch): |
| Charge Pumping, TCAD, Source-Drain-Engineering, High-k Metal Gate |
| Freie Schlagwörter (Englisch): |
| Cgarge Pumping, TCAD, Source-Drain-Engineering, High-k Metal Gate |
| PACS - Klassifikation: |
| 72.20.Jv |
| Fakultät: |
| Technische Fakultät |
| DDC-Sachgruppe: |
| Naturwissenschaften |
| Dokumentart: |
| Dissertation |
| Hauptberichter: |
| Frey, Lothar (Prof. Dr.) |
| ISBN: |
| 978-3-8325-3261-1 |
| Sprache: |
| Englisch |
| Tag der mündlichen Prüfung: |
| 10.09.2012 |
| Erstellungsjahr: |
| 2012 |
| Publikationsdatum: |
| 23.11.2012 |
| Kurzfassung in Englisch: |
| The continuous improvement in semiconductor technology requires field effect transistor scaling while maintaining acceptable leakage currents. This study analyzes the effect of scaling on the leakage current and defect distribution in peripheral DRAM transistors.The influence of important process changes, such as the high-k gate patterning and ecapsulation as well as carbon co-implants in the source/drain junction are investigated by advanced electrical measurements and TCAD simulation. A complete model for trap assisted leakage currents in the silicon bulk of the transistors is presented. |
| Kurzfassung in Deutsch: |
| Für einen kontinuierlichen Fortschritt in der Halbleitertechnologie werden skalierte Feldeffekttransistoren mit niedrigen Leckströmen benötigt. Die stetige Skalierung verändert auch die Leckströme und Defektverteilung in peripheren DRAM Transistoren. In dieser Arbeit wird der Einfluss wichtiger Prozessänderungen auf diese Parameter mittels fortgeschrittenen elektrischen Messungen und TCAD Simulationen untersucht. Wichtige Prozessänderungen erfolgen bei der Strukturierung und Einkapselung des High-k - Metall Gates, und bei einer zusätzlichen Kohlenstoffimplantation in der Source bzw. Drain. Ein vollständiges Model für die Defekt assistierten Leckströme im Silizium Bulk wird vorgestellt. |
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